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微电子学院周鹏课题组在超高速准非易失存储器研究上获得重要进展

发布日期:2019-07-14 19:02:40 编辑:运动平台网阅读次数:

大数据和人工智能引领信息时代的飞速发展。传统无法根据运算速度冯·诺依曼计算机体系结构系统,信息技术在当今动荡的“内存墙”问题的一个重要的发展对数据存储的速度相匹配。根据公布的预在“自然。在半浮栅存储器纳米技术“超快成功写入的动态随机存取存储器和闪存中的数据的速度特性的三维材料保持的存储器的有效结合能力,使数据写入速度显著提高,但二维半浮栅记忆擦除速度滞后问题阻碍了其在准非易失性存储器应用中,为了解决这一问题,近日,微电子,复旦研究生李静水俣张炜教授,周鹏教授,使用的指导下,异质结精确的尺寸材料堆叠技术转移,二维半浮动栅极存储器架构之前结合阶段的概要,并且提高了使用横向PN结充放电的浮置栅极来实现超高速电子的写入和擦除的功能准成功擦除速度升高到所述非易失性存储器纳秒,40纳 nosecond对称构造超高速写入擦除操作时,准优化的性能的非易失性存储器中,在准擦拭获得除了非易失性存储器中的重要突破速度。日前,结果相关联的“使用对称异质范德华创建准非易失性存储器写入擦除的速度也超快”
(对称超快写作与经由准非易失存储器面包车在擦除速度
德瓦异质结)发表在“先进材料”(先进材料)。

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内存系统在计算机系统架构的重要组成部分,一直是影响微电子的发展,并为内存功能:性能优化探索写入速度,撞击速度,数据保存,也决定了内存更好是否满足实际应用。一般而言,传统的存储器的性能不能同时超高速写入和擦除两个优点而长的数据保留。因此,存储与超高速易失性存储器的写入划分和擦除特性具有长的非易失性存储器的数据保持功能,R&d,最近通过二维半浮动栅极存储器打开的第三类存储器技术,成功使得到了易失性存储器和非易失性存储器之间的间隙。然而,该二维半浮动栅极存储器没有解决登记使用由横向栅电压脉冲直接生成的PN结横向栅极控制开关,以实现超短电应力擦除的速度慢,工作的非易失性存储器的问题,加速浮动栅极电荷重组成功提高擦除速度准非易失性存储器。

使用的二维材料,二维材料二硫化钼,WSE2,BN一个新的系统和厚度原子尺度的,而不晃来晃去具有丰富的频带特性的键的表面等,并且然后到绝缘体这项工作可以从提供各种半导体金属导电性,还具有超高集成密度和低功耗,行业作为未来存储器和计算技术的一个重要的候选可以被施加。二维材料丰富频带特性,通过切换PN结,用于充电和放电的浮置栅极,有效地增加数据擦除的写入速度的充电控制的特性构成的浮置栅PN结结构的特征。

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科研工作,不仅大大提高了速度擦除准非易失性存储器,和超快写入擦除操作的结构的对称性,数据将是准非易失性存储器的刷新时间延长到14秒,在很大的程度在降低准非易失性存储器造成频繁的功耗数据刷新过程后,使得更多的优化,以满足潜在的实际应用。

论文链接:https://开头onlinelibrary。威利。COM / DOI / 10.1002 / ADMA。201 808 035

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